技术参数:
• Ic(A),Tc=80℃ 75
• Vce(sat),Max(V) 2.15
• Ton(us) 0.15
• Toff(us) 0.4
• Rth(j-c),K/W 0.38
• Pc(W) 395
• 封装 34mm
• 电路结构 半桥
性能概要:
• 提高工作温度TVJ op
• 低开关损耗
• 低V(CESAT)
• T(VJ OP)=150℃
• V(CESAT)具有正温度系数
• 隔离底板
• 标准封装
优点:
• 灵活性
• 最佳的电气性能
• 最高的可靠性
目标应用:
• 电机控制和驱动
• 太阳能系统解决方案
对于完整的太阳能电力解决方案的主导产品
• 不间断电源(UPS)
• 商业,农业和工程车辆(CAV)
• 感应加热
• 工业焊接