英飞凌IGBT模块FF600R17ME4

技术参数：

• Ic(A),Tc=80℃          600

• Vces(V)               1700

• 封装                  EconoDual3

• 电路结构               半桥

性能概要：

• 采用第四代沟槽栅/场终止IGBT4和发射极控制二极管 带有温度检测NTC

电气特性：

• 高电流密度

• 低Vceast

• Tvj op=150℃

• Vceast带正温度系数

机械特性：

• 高功率密度

• 绝缘的基板

• 标准封装

典型应用：

• 大功率变流器

• 风力发电机